Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer fem nye 1.200V siliciumkarbid (SiC) MOSFETs, der med afsæt i koncernens tredje generations SiC-teknologi booster effektiviteten i industrielle højvoltapplikationer. Komponenterne vil typisk komme i brug i ladastationer til elbiler, solcelle-invertere, industrielle strømforsyninger, UPS’er (uninterruptible power supplies) samt tovejs- eller halvbro DC/DC-konvertere.
Ved at forbedre on-modstandens x gate-drain ladningens (RDS(on) x QGD) figure-of-merit (FoM) med mere end 80%, booster Toshibas nyeste SiC-teknologi ydelsen for både ledetilstand og switching i effektkonverteringstopologier.
De nye komponenter indeholder desuden den innovative embeddede Schottky-barrierediode (SBD), der har vist sin værd i den foregående komponentgeneration. Den embeddede SBD øger pålideligheden af SiC MOSFETs ved at modvirke de interne parasitiske effekter, så man opnår en stabil RDS(on) for komponenten.
De nye MOSFETs tåler desuden et rundhåndet maksimalt gate-source spændingsområde fra -10V til 25V, hvilket øger fleksibiliteten til drift i forskellige kredsløbsdesigns og applikationer. Gate-tærskelspændinger (VGS(th)) mellem 3,0V og 5,0V sikrer forudsigelig switching-ydelse med minimal afdrift og et samtidigt enkelt gate-driver design.
Tredje generations SiC MOSFET’erne på programmet omfatter nu TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C og TW140N120C. Komponenterne har RDS(on) værdier fra 15mΩ til 140mΩ (typisk ved VGS=18V) samt nominelle drain-strømme mellem 20A og 100A (DC @ TC=25°C).
Alle komponenter er i fuld produktion og klar til bestilling fra Toshibas distributører i standard TO-247 kapslinger.
Yderligere information om Toshibas 1200V SiC effekt-MOSFETs kan findes her: TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C og TW140N120C
Toshiba Electronics Europe
http://www.toshiba.semicon-storage.com.
