Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer nu SSM6L826R, en ny 30 V dual-MOSFET, der samler både N- og P-kanal MOSFETs i én samlet pakke. Produktet er oplagt til applikationer som enfasede BLDC-motorstyringer (børsteløse DC), motorstyringer til konventionelle DC-motorer samt belastnings-switche til strømforsyninger i forbruger- og industrikontrolelektronik.
SSM6L826R er baseret på Toshibas UMOSVIIH-proces for N-kanalens MOSFET og UMOSVI-processen for P-kanal MOSFET’en. Alt er samlet i et kompakt TSOP6F-hus (2,9 mm × 2,8 mm × 0,8 mm) med flade leads, der forbedrer styrken ved montage.
Komponenten opnår sin lave drain-source on-modstand (RDS(ON)) på 46 mΩ (max.) (VGS = 10 V) for N-kanal MOSFET’en og 45 mΩ (max.) (VGS = -10 V) for P-kanalens MOSFET. Da RDS(ON)-værdierne stort set er identiske, bliver tabene i ledende tilstand velbalancerede, hvad der hjælper designere til at forenkle kredsløbsudviklingen. Ved at integrere begge MOSFETs i én samlet pakke opnår man ydermere et mindre pladsforbrug på printet og lavere bill-of-materials (BOM) omkostninger.
Med lanceringen af SSM6L826R, udbygger Toshiba sit program af TSOP6F dual-MOSFETs til at omfatte tre dual N-kanal MOSFETs, én dual P-kanal MOSFET samt to komplementære (N+P) MOSFETs, hvilket giver ingeniører større fleksibilitet i valget af optimale komponenter til deres aktuelle designs.
For mere information om SSM6L826R, se venligst: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM6L826R.html
