Af Jørgen Sarlvit Larsen
FAMES Pilot Line konsortiet og SiNANO instituttet vil i fællesskab afholde en halvdags workshop, med titlen “FD-SOI Pilot Line Insight and Perspective”, den 7. september på ESSERC 2026 konferencen (European Solid-State Electronics Research Conference) i Palma de Mallorca, Spanien, hvor man dybtgående vil præsentere de nyeste tekniske resultater fra pilotlinien.
– Foruden performance boostere for 10 nm node til de første mm-wave RF kredsløb fabrikeret i en fuld 3D sekventiel proces vil vi i detaljer dykke dybt ned i nøgleteknologier udviklet hos FAMES, ligesom deltagerne får lejlighed til at møde nogle af vore topeksperter, siger Dominique Noguet, FAMES koordinator og CEA-Leti Vice President.
Workshop’ens emner inkluderer:
• Næste generation af FD-SOI technologi for low-power og RF applikationer
• Resultater FAMES allerede har produceret mht. udvikling af embedded non-volatil memory
• Pålidelig RRAM-baseret fysiske unclonable funktioner for energieffektiv hardware sikkerhed
• Solidt monterede Lithium Niobate Bulk akustik wave filtre for FR3 området
• Avanceret 3D sekventiel integration: Process innovationer og fremtidige applikationer
• Heterogen integration og 3D arkitekturer som nøgleteknologier i AI æraen
• Små induktorer for DC-DC konvertere: Power management integrerede kredsløb
Desuden vil seancen reflektere SiNANO’s mission som brobygger mellem FAMES Pilot Line og europæisk forskning inden for nanoelektronik.
http://www.fames-pilot-line.eu
