Franske CEA-Leti og Dresden-baserede GlobalFoundries (GF) forlænger deres mangeårige samarbejde og fremskynder udviklingen af næste generations fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI) substrat. De to partnere har i fællesskab bidraget til, at FD-SOI teknologien i dag er velegnet til applikationer, som kræver en optimeret balance mellem ydelse, effektforbrug og omkostninger. For eksempel kan GF’s 22FDX platform levere en ydelse sammenlignelig med 14/16 nm FinFet noder i mange tilfælde og et lavere effektforbrug samt indbygget strålingstolerance.
Disse egenskaber gør FDX substratet velegnet til en bred vifte af applikationer, inklusive mobile og forbruger enheder, automotive microcontrolere, satellit kommunikation, edge AI og kommende computer arkitekturer. GF deltager i FAMES Pilot Line projektet og fokuserer på en videreudvikling af FD-SOI egenskaberne, inklusive stained silicium koncepter, der har til formål at udvide ydelsen og energieffektiviteten af FD-SOI substratet i fremtidige applikationer.
I FAMES projektet vil GF og Leti også avancere et bredere sæt af FDX-baserede programmer inklusive RF design for 5G/6G effektforstærkere, embedded non-volatile hukommelser til compute-in-memory for edge AI, ultra low power biomedicinske wearables og cybersikre komponenter. De to partnere ser også FAMES som en naturlig vej til 3D heterogen integration i fremtidige FDX generationer, og til forstærkning af FD-SOI teknologien som Europas mest alsidige platform til suveræn, energieffektiv silicium halvledere.
– FAMES Pilot Line er en hjørnesten i Europas strategi til styrkelsen af halvleder forskning og innovation. Og sammen med GF vil vi accelerere FD-SOI forskningen på et tidligt stade og samtidig bibeholde et klart fokus på den langsigtede innovation, bærebarhed og europæisk teknologisk suverænitet, påpeger Sébastien Dauvé, CEA-Leti CEO.
