Nexperia markedsfører nu de første i en række af 80V- og 100V applikationsspecifikke MOSFETs (ASFETs) til hotswapping og med et forøget safe operating area (SOA) i kompakte 8mm x 8mm LFPAK88-kapslinger. De nye ASFETs er fuldt ud optimerede til krævende hotswapping og soft-start applikationer og er kvalificeret til 175°C for brug i avanceret telecom- og computerudstyr.
Med årtiers ekspertise inden for både silicium – og kapslingsteknologier udgør Nexperia’s PSMN2R3-100SSE (100V, 2,3mΩ N-kanal ASFET) den førende tilføjelse til porteføljen med en lav RDS(on) og en stærk SOA-ydelse fra et kompakt 8mm x 8mm footprint, der er tilpasset behovet i selv de mest krævende hotswap-applikationer. Nexperia markedsfører også PSMN1R9-80SSE (80V, 1,9mΩ), en 80V ASFET, der opfylder de stigende behov inden for 48V forsynings-rails i servere og andre industrielle applikationer, der tillader brug af MOSFETs med lavere BVDS-tal.
ASFETs med forøget SOA bliver stadigt mere populære inden for hotswapping- og soft-start applikationer. Deres stærke lineære egenskaber er afgørende for håndtering af in-rush strømme og pålidelig drift af kapacitive belastninger ved indsættelse i ”live” backplanes. En lav RDS(on) er også vigtig for at minimere I2R-tab, når ASFET’en er fuldt aktiv. Trods den lavere RDS(on) og den kompakte udformning, så leverer Nexperias 3. generation af forøget SOA også en 10 procents forbedring af SOA’et i forhold til den tidligere generation i D2PAK-huse (33A vs 30A @ 50V @ 1ms).
Et andet innovativt skridt fra Nexperia er, at de nye ASFETs til hotswapping har et fuldt fungerende SOA ved såvel 25°C som 125°C. Hot-SOA grafer for de fuldt ud testede komponenter bliver leveret sammen med databladene, hvilket minimerer behovet for, at designere selv skal udføre termiske de-rating beregninger, hvilket i høj grad udvider den praktiske hot-SOA ydelse.
Hidtil har ASFETs til hotswapping og computer-applikationer været begrænset til de større D2PAK-huse (16mm x 10mm). LFPAK88-kapslingerne udgør ideelle erstatninger for D2PAK med en 60 procent pladseffektivitet. PSMN2R3-100SSE har en RDS(on) på blot 2,3mΩ svarende til mindst en 40 procents reduktion af de nuværende komponenter. Det medfører ikke kun branchens højeste effettæthed med op til 58x forbedring, men LFPAK88 tilbyder også en 2x højere ID (max) nominel strøm samt ultralav termisk og elektrisk modstand. De nye komponenter kombinerer de bedste funktioner i Nexperias avancerede silicium- og kobber-clip pakningsteknologier, hvilket inkluderer et mindre footprint, lavere RDS(on) og højere SOA-ydelse. Nexperia tilbyder desuden serier af 25V-, 30V-, 80V og 100V ASFETs i 5mm x 6mm LFPAK56E-huse optimeret til applikationer med lavere effekter, og hvor mindre monterede footprint er nødvendige.
For mere information om de nye ASFETs se venligst: http://www.nexperia/com/asfets-for-hotswap-and-soft-start
