Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancerer nu en ny RF enkeltpolet, toskift (SPDT) switch i et kompakt hus og velegnet til applikationer som basestationer i telecom-udstyr, industriel elektronik, repeatere, forbrugerelektronik og transceivere.
Den nye højeffekt RF SPDT-switch fra Toshiba (TCWA1225G) tåler en peak-effekt på input på 46dBm (v. 8dB PAR). Det har været muligt at realisere med anvendelse af Toshibas originale CMOS-processer og en optimering at de interne switch-kredsløb. CMOS-processen reducerer desuden insertions-tabene, så man ikke får en ringere transmitter-effekt eller dårligere receiver-følsomhed. Resultater er derfor, at insertions-tabet for TCWA1225G er på kun 0,6dB (typ. v. 5GHz) – hvilket ligger rundt regnet 10 procent under konkurrerende produkter.
Driftsspændingen er nominelt 3,3V og strømtrækker på blot 50μA. Den nye komponent fungerer ved omgivelsestemperaturer mellem -40ºC og +95ºC.
TCWA1225G er kapslet i et kompakt Wafer-level Chip Scale hus (WCSP), der måler så lidt som 1,9mm x 1,9mm – hvilket er et footprint rundt regnet 10 procent mindre end sammenlignelige komponenter. Alle de vigtige pads inklusive RF-terminaler, forsyning og kontrol er placeret i periferien af komponenten for at lette print-layoutet.
Som en del af 5G-teknologiens rollout har mange telecom-basestationer for nyligt fået tilføjet Massiv MIMO (Multiple Input, Multiple Output) og adskillige TX/RX-antenner for at levere de ultra high-speed og ultrahøj kapacitets services, som 5G radiokommunikation kræver.
Individuelle antenner er i stigende grad sammensat af komplekse signaltransmissionsstier, der har behov for RF-switching. Det stiller igen krav om lave insertionstab og en høj input-effekt i kompakte kapslinger, so man kan opretholde en lille antennestørrelse – eller endda gøre den mindre.
Se mere om den nye højeffekt RF SPDT-switch på Toshibas website: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/radio-frequency-devices/detail.TCWA1225G.html
