De nyeste energieffektive lade systemer der driver kommercielle biler, samt tilhørende effektsystemer, solcelleomformere, solid-state transformere og andre transport og industrielle applikationer, er alle afhængige af højspændingsinvertere. For at tilgodese disse krav annoncerer Microchip Technology Inc. udvidelsen af deres siliciumkarbid (SiC) portefølje med en familie af højeffektive og højpålidelige 1700V SiC MOSFET, diskrete effektmoduler.
Microchips 1700V SiC-teknologi er et alternativ til silicium IGBT’er. Den tidligere teknologi krævede at udviklere skulle gå på kompromis med ydelsen og anvende komplicerede topologier pga. begrænsninger på switch frekvensen i unøjagtige silicium IGBT’er. Herudover gør de påkrævede transformere elektronikken større og tungere, hvilket kun kan modvirkes ved at forøge switch frekvensen.
Den nye silicium karbid produktfamilie giver ingeniører mulighed for at droppe IGBT’er og i stedet anvende to-niveau topologier med færre komponenter, større effektivitet og enklere styring. Uden switch begrænsninger kan power konverterings enheder gøres betragteligt mindre og lettere, så der gives plads til flere ladestationer, yderligere plads til betalende passagerer og last, eller større rækkevidde og driftstid for tunge køretøjer, elektriske busser og andre batteridrevne kommercielle køretøjer – så den samlede systemomkostning reduceres.
Den degraderingsfri body diode kan eliminere behovet for ekstern diode med silicium karbid MOSFET. Evne til at modstå kortslutning i forhold til IGBT’er forbedrer håndteringen af skadelige elektriske transienter. En fladere RDS(on) kurve over forbindelsestemperatur fra 0 til 175 grader Celsius (C) gør det muligt for effektsystemet at opnå større pålidelighed end andre silicium karbid MOSFETs der er mere følsomme overfor temperatur.
Microchip Nordic
Tlf.: 44 85 59 10