Toshiba Electronics Europe udvider sin familie af automotive power-MOSFETs med TK1R5R04PB – den første komponent i firmaets nyeste lavmodstands D2PAK+ hus. Selv om D2PAK+ har det samme footprint som et konventionelt D2PAK (eller TO-263) hus, så har D2PAK+ en lavere kapslingsmodstand. Det skyldes, at source-pin’en er meget bredere nær indstøbningsoverfladen end for konventionelle D2PAK-huse.
TK1R5R04PB tåler nominelt 40V og 160A og har en maksimalmodstand på 1,5mΩ (VGS = 10V). Minimum- og maksimumspændingstærskler (Vth) er 2V og 3V respektive.
Toshiba har brugt sin seneste UMOS IX-H wafer-proces til fremstilling af TK1R5R04PB. U-MOS IX-H har undertrykker switch-ripple meget effektivt og bidrager til minimering af støj i en lang række applikationer.
Typiske applikationer for de nye komponenter er pumper, blæsere, DC/DC-konvertere og belastnings-switche i den automotive sektor.
TK1R5R04PB opfylder de automotive AEC-Q101 kvalificeringskrav.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com