Cambridge GaN Devices (CGD) lancerer nu komponenter med den laveste on-modstand (RDS(on)) nogensinde. De er blevet konstrueret med en ny matrice og nye pakninger, der leverer alle fordelene ved GaN til højeffektapplikationer som datacentre, invertere, motordrev og andre industriel kraft forsyninger. De nye ICeGaN™ P2-serier har RDS(on)-niveauer ned til 25mΩ, og de understøtter multi kW-effektniveauer med den højeste effektivitet.
Den eksplosive vækst af kunstig intelligens fører til en markant stigning i energiforbruget, hvilket får designere til datacentersystemer til at prioritere brugen af GaN til effektive, effektive strømløsninger. Denne nye serie af Power GaN IC’er er et springbræt for CGD til at støtte vores kunder og partnere ved at opnå og overstige 100 kW/rack-effekttæthed i datacentre, hvilket kræves af de seneste TDP-trends (Thermal Design Power) for high-density computing. Med hensyn til motorstyringsinvertere søger udviklere at GaN for at reducere varmen for højere systemeffekt i længere tid fra mindre forsyninger . Det er blot to eksempler på markeder, som CGD nu aggressivt retter sig mod med disse nye højeffekt ICeGaN IC’er. Et forenklet gate-driverdesign og reducerede systemomkostninger kombineret med avanceret højtydende emballage gør P2-seriens IC’er til et fremragende valg til disse applikationer.
De nye ICeGaN IC’er udkonkurrerer diskrete e-Mode GaN og andre eksisterende teknologier og inkorporerer en on-chip Miller Clamp for at eliminere tab under hurtig switching og implementering af 0V-turn-off for at minimere reverse-tab. De nye pakker tilbyder forbedret termisk modstand så lav som 0,28K/W – igen, ækvivalent eller bedre end noget andet tilgængeligt produkt på markedet i øjeblikket – samt et dual-gate pinout på den dobbeltsidede DHDFN-9-1 (Dual Heat-spreader) DFN-pakke, hvilket letter et optimalt print-layout og enkel parallelkobling for skalerbarhed. Det gør det muligt for kunderne at designe multikW-applikationer med lethed. De nye pakker er også blevet udviklet til at forbedre produktiviteten med befugtelige flanker for at forenkle optisk inspektion.
De nye P2 Series ICeGaN power IC’er leveres som samples allerede nu. Familien inkluderer fire komponenter med RDS(on)-niveauer på 25mΩ og 55mΩ, vurderet til 60A og 27A, i 10mm x 10mm footprint DHDFN-9-1 og BHDFN-9-1 (Bundvarmeafledende DFN) pakker. Fælles med alle CGD ICeGaN-produkter kan P2-serien styres ved hjælp af enhver standard MOSFET- eller IGBT-driver.
