Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer XPJ1R504PB, en automotivt godkendt 40V, 120A N-kanal power MOSFET kapslet i et S‑TOGL™ hus og som en udvidelse af koncernens line-up til 12V-systemer. Target-applikationer inkluderer invertere, halvlederrelæer, belastnings-switche og motordrev. Ved at tilføje denne 40V MOSFET til sit eksisterende line-up af S‑TOGL™-kapslede komponenter, som inkluderer XPJR6604PB og XPJ1R004PB, udvider Toshiba sine produktoptioner til at imødekomme en række nye applikationer og systemkrav.
I løbet af de seneste år med fremskridt inden for elektrificering af det automotive udstyr, stiger også brugen af invertere og motordrev med et samtidigt krav om højere outputs og effektivitet. For at imødekomme disse trends skal nye MOSFETs levere både lave effekttab og en høj grad af varmeafledning gør XPJ1R504PB med sit S-TOGL hus en kompakt og tæt montage med en fremragende termisk ydelse, hvilket reducerer størrelsen af automotivt udstyr med en samtidig forbedret effektivitet.
I takt med, at automotivt udstyr arbejder under stadigt bredere temperaturforhold, bliver pålideligheden af loddeforbindelserne mere kritisk. S‑TOGL kapslingen anvender gull‑wing leads, der aflaster stress i montagen og dermed forbedrer den mekaniske pålidelighed af de loddede forbindelser. Desuden er kapslingen udført med en søjleløs arkitektur, der integrerer chippens source-elektrodeforbindelse og de ydre leads, hvad der reducerer de parasitiske modstande og giver en on‑modstand (RDS(ON)) på 1,54mΩ (max.) ved en gate-source spænding (VGS) på 10V.
Brugen af en tyk kobberramme i S‑TOGL huset mindsker den termiske modstand mellem kanal og case (Zth(ch-c)) til 0,76°C/W, reducerer ledetab og undertrykker varmegenerering, hvilket igen mindsker den overordnede systemeffektivitet. En multi-pin struktur for kredsen source-leads forbedrer desuden strømfordelingen og sikrer en høj nominel strøm for den nye MOSFET.
Se mere om XPJ1R504PB på Toshibas website: XPJ1R504PB | Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | Europe(EMEA)
