Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer sin første 30V N-kanal common-drain MOSFET. Den nye SSM10N961L giver lavere tab i drift og er specifikt tiltænkt brug i komponenter med USB-interfaces. Den nye komponent kan dog også bruges til beskyttelse af batteripakker i mobile applikationer.
Med USB-interfaces overalt i verden er mange komponenter og produkter i dag udviklet til at supportere USB-standarderne. USB Power Delivery (USB PD) standarden supporterer højere effektniveauer fra 15W (5V/3A) til maksimalt 240W (48V/5A) og gør også ombytning af forsynings- og forbrugerside mulig. Det kræver komponenter med tovejs USB lade-support, og det er netop dét formål, den nye SSM10N961L N-kanal common-drain MOSFET er blevet designet til.
Hidtil har Toshibas N-kanal common-drain MOSFETs primært været 12V-produkter tiltænkt beskyttelse af Li-Ion (litium-ion) batteripakker i eksempelvis smartphones. Det netop lancerede 30V-produkt kan derimod bruges til applikationer med spændingsbehov over 12V som last-switche på forsyningslinjer med USB-opladning af apparater med samtidig beskyttelse af Li-ion batteripakker i batteridrevent udstyr.
SSM10N961L kombinerer to N-kanaler i en common-drain konfiguration, der er dén teknologi, som tillader den tovejs funktion. Source-source breakdown-spændingen (V(BR)SSS) er 30V til brug i applikationer med højere spændinger som for eksempel laptops og tablets. For at reducere tab i alle slags applikationer er source-source on-modstanden (RSS(ON)) bragt ned til typisk 9,9mΩ.
Ved montage på en 18µm tyk, 407mm2 Cu-pad, tåler komponenten nominelt 9,0A. Ved øget tykkelse og areal af kobber-pad’en til henholdsvis 70µm og 687,5mm2 kan strømmen øges til 14,0A.
Trods den store effekthåndtering i SSM10N961L er komponenten kapslet i et lille hus (TCSPAG-341501) med ydermålene 3,37mm×1,47mm x 0,11mm, hvad der åbner døren for nogle særdeles tæt bestykkede løsninger.
Ved at kombinere den nye komponent med TCK42xG driver-IC’en er det muligt at designe en belastnings-switch med en backflow-beskyttelsesfunktion eller et effekt-multiplexerkredsløb, der kan switche driften mellem Make-Before-Break (MBB) og Break-Before-Make (BBM).
Toshiba har lanceret et Power Multiplexer Circuit som referencedesign baseret på kombinationen af disse to produkter. Kredsløbet er blevet verificeret af Toshiba, hvad der kan give designere ro i sjælen, da det vil forenkle deres designarbejde og forkorte tidsforbruget i designfasen.
Besøg Toshibas website for flere detaljer: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.SSM10N961L.html
