Toshiba Electronics Europe GmbH udvider sin portefølje af N-kanal effekt-MOSFETs med lanceringen er ni nye komponenter tre forskellige, små, men effektivt varmeafledende kapslinger. Det nye lineup består af tre 100 V-produkter til 48 V forsynings-rails i industrielt udstyr og seks 60 V-produkter til 24 V-systemer.
De nye komponenter er et direkte modsvar på de seneste markeds-trends, hvor de industrielle forsyninger ændrer sig fra de traditionelle 12 V- og 24 V-systemer til 48 V-systemer for at mindske effekttabene. Da inrush-strømme og -pulser på 48 V-linjer kan forårsage spændingsløft til mellem 50 V og 80 V, er MOSFETs til nominelt 100 V nødvendigt på pålidelig drift. Desuden – da spændingerne inden for strømforsyninger generelt er på vej opad – er højere effektivitet, lavere tab og mindre størrelser staidgt mere nødvendige. Som svar på disse markedskrav har Toshiba udviklet produkter til 48 V-linjer samt de nuværende mainstream 24 V-linjer.
For at opfylde de diverse behov i moderne industrielt udstyr, leveres de nye produkter i tre afgørende kapslingstyper. Designere, som prioriterer alsidighed og enkel implementering, kan med fordel bruge SOT-23F huset, der måler 2,9 mm x 2,4 mm og som kan aflede op til 1 W varmetab. Til applikationer med behov for højere varmeafledning og termisk effektivitet kan TSOP6F-huset afsætte op til 1,5 W fra et footprint på 2,9 mm x 2,8 mm. I designs, hvor især størrelsen er kritisk, er UDFN6B-huset en ultralille og pladsbesparende løsning med et typisk footprint på 2,0 mm x 2,0 mm og en effektafsættelse på op til 1,25 W.
Trods de kompakte størrelser har alle tre hustyper en lav on-modstand (RDS(ON)), som i høj grad reducerer forbruget i ledende tilstand for komponenterne. Kombinationen af høj effektivitet og lille størrelse åbner mulighed for en række applikationer lige fra industrielle PLC’er over invertere, servomotorer og servere til forbrugerudstyr som LED-belysninger, vandvarmere, vandrensere og robotstøvsugere.
Til 48 V-forsyningslinjer tilbyder Toshiba N-kanal MOSFETs til nominelt 100 V og med en RDS(ON) på 198 mΩ:
SSM3K387R [SOT-23F]
SSM6K387R [TSOP6F]
SSM6K387NU [UDFN6B]
Til 24 V-forsyningslinjer tilbyder Toshiba N-kanal MOSFETs til nominelt 60 V og med en RDS(ON) på 99 mΩ:
SSM3K388R [SOT-23F]
SSM6K388R [TSOP6F]
SSM6K388NU [UDFN6B]
Til 24 V-forsyningslinjer tilbyder Toshiba N-kanal MOSFETs til nominelt 60 V og med en RDS(ON) på 200 mΩ:
SSM3K389R [SOT-23F]
SSM6K389R [TSOP6F]
SSM6K389NU [UDFN6B]
