Toshiba lancerer 3. generation af 650V SiC MOSFETs i kompakt TOLL-kapsling

Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer tre nye 650V siliciumkarbid (SiC) MOSFETs, der anvender Toshibas nyeste 3. generation af SiC MOSFET-chips. TW027U65C, TW048U65C og TW083U65C er kapslet i TOLL-huse til overflademontage (SMT) og er designet til at reducere switching-tab i industrielle produkter. De egner sig til en lang række krævende effektapplikationer som switch-mode strømforsyninger (SMPS) i servere, datacentre og kommunikationsudstyr, UPS’er (uninterruptible power supplies), ladestationer til elbiler og effektinvertere til solcellepaneler.

Sammenlignet med kapslinger med pins eller leads som TO-247 og TO-247-4L(X) reducerer de nye komponenter volumen med mere end 80% i designet. Denne betydelige formindskelse bidrager direkte til en forbedret effekttæthed. Desuden baner SMT-løsningen i TOLL-kapslingen vejen for brug af komponenter – modstande og spoler – med meget lavere parasitiske impedanser, og det medfører igen lavere switching-tab.

TOLL-kapslingen er et 9-pin, 4-terminal hus designet til brugen af en Kelvin-forbindelse på signalets source-terminal for gate-driveren. Det avancerede design minimerer påvirkningen fra induktans i source-tilledningen i kapslingen, så man opnår en bedre high-speed switching. TW048U65C demonstrerer for eksempel en tydelig reduktion i turn-on tabet (E_on) på rundt regnet 55% og et turn-off tab (E_off) på rundt regnet 25% sammenlignet med Toshibas TO-247 kapslede ækvivalenter uden en Kelvin-forbindelse. Denne forbedring bidrager direkte til en reduktion af udstyrets effekttab.

Toshibas 3. generations SiC MOSFETs har en optimeret modstand i forhold til afdrift og kanalmodstandsforholdet, hvad der giver en god temperaturafhængighed i drain-source forbindelsens on-modstand (R_DS(on)) på tværs af en lang række driftstilstande. De nye MOSFETs har desuden et lavt R_DS(on) x gate-drain ladnings (Q_gd) produkt, hvad der er væsentligt for komponenternes såkaldte figure-of-merit (FOM). Det øger igen ydelsen. Alle varianter i serien tåler en absolut maksimal drain-source spænding (V_DSS) på 650V og en bred gate-source spænding (V_GSS) mellem -10V og 25V. Det sikrer kompatibilitet til forskellige gate-driver kredsløb og forenkler kredsløbsdesignet. Gate-tærskelspændingen (V_th) for disse komponenter spænder typisk mellem 3,0V og 5,0V, hvad der også forenkler kredsløbsdesignet. De høje nominelle drain-strømme (I_D) garanterer en robust drift under selv krævende forhold og øger systempålideligheden.

For mere information om de nye produkter, se venligst de følgende webpages:
TW027U65C
TW048U65C
TW083U65C