Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancerer nu yderligere to -60V P-kanal MOSFETs baseret på virksomhedens egen U-MOS VI proces. De nye komponenter udvider udbuddet af komponenter, der egner sig til brug i blandt andet automotive applikationer som effekt-switche, halvlederrelæer og motordrev.
De nye XPH8R316MC- og XPH13016MC-typer er som udgangspunkt kvalificeret efter AEC-Q101 – den automotive pålidelighedsstandard. De er derfor kapslede i SOP Advance(WF) huse – overflademonterede typer med en ”wettable” flanketerminalstruktur. Det letter automatisk optisk inspektion (AOI) af de loddede samlinger, hvilket er af afgørende betydning for elektronik til brug i barske automotive miljøer. En yderligere fordele er kobberforbindelsen i kapslingen, som minimerer overgangsmodstanden i kapslingen, forbedrer effektiviteten og reducerer varmeakkumulering i komponenterne.
XPH8R316MC tåler nominelt en kontinuert drain-strøm (ID) på -90A, mens XPH13016MC er til en nominel ID på -60A. Den pulserede drain-strøm (IDP) tåler de dobbelte strømme på henholdsvis -180A og -120A. Begge komponenter tåler drain-source spændinger (VDSS) op til -60V og kan fungere ved kanaltemperaturer (Tch) op til 175ºC.
Den maksimale drain-source on-modstand (RDS(ON)) for XPH8R316MC er 8,3mΩ, hvilket er rundt regnet 25% lavere en for Toshibas eksisterende TPCA8123. For XPH13016MC er værdien 12,9mΩ rundt regnet 49% lavere end for TPCA8125. Disse stærkt reducerede værdier for RDS(ON) bidrager betydeligt til at reducere forbruget i blandt andet automotive applikationer.
Se mere om de nye -60V P-kanal MOSFETs på:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.XPH8R316MC.html
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.XPH13016MC.html
