Rohm har udviklet den nyeste enhed i sin EcoSiC-serie: 5. generations SiC MOSFET’er, der er optimeret til højeffektive strømforsyningsapplikationer. Denne teknologi er ideelt egnet til elektriske drivlinjer i biler – såsom traktionsinvertere til elbiler (xEV’er) – samt strømforsyninger til AI-servere og industrielt udstyr som datacentre.
I de senere år har den hurtige spredning af generativ AI og big data-behandling accelereret udrulningen af højtydende servere i industrielt udstyr. Den resulterende stigning i effekttæthed lægger et større pres på strøminfrastrukturen, hvilket rejser bekymring om lokale forsyningsmangler. Mens smarte net, der kombinerer vedvarende energikilder (dvs. solenergi) med eksisterende strømforsyningsnetværk, fremstår som en mulig løsning, er minimering af tab under energikonvertering og -lagring fortsat en central udfordring.
I den automotive sektor kræver næste generations elbiler udvidet rækkevidde og hurtigere opladning, hvilket skaber efterspørgsel efter invertere med lavere tab og højere ydende onboard-opladere (OBC’er). På denne baggrund stiger anvendelsen af SiC-enheder, der er i stand til både lavt tab og høj effektivitet, i højeffektapplikationer, der spænder fra få kilowatt til hundredvis af kilowatt.
Som den første halvledervirksomhed globalt var Rohm den første i verden til at begynde masseproduktion af SiC MOSFET’er i 2010, hvilket bidrog til at reducere energitab ved at implementere SiC-enheder i en bred vifte af højeffektapplikationer, herunder at tilbyde en tidlig serie af produkter, der overholder pålidelighedsstandarder for bilindustrien, såsom AEC-Q101. Derudover er 4. generations SiC MOSFET’er, hvor levering af prøver begyndte i juni 2020, blevet implementeret globalt i bil- og industrielle applikationer. De er tilgængelige på tværs af en bred produktportefølje, herunder både diskrete enheder og moduler, hvilket understøtter den hurtige markedsadoption af SiC-teknologi.
De nyudviklede 5. generations SiC MOSFET’er opnår brancheførende lavt tab, hvilket driver den bredere anvendelse af SiC-teknologi. Gennem strukturelle forbedringer og optimering af fremstillingsprocessen reduceres on-modstanden med cirka 30% under drift ved høj temperatur (Tj = 175 °C) sammenlignet med konventionelle 4. generations produkter (under samme gennembrudsspænding og chipstørrelsesforhold). Denne forbedring bidrager til at gøre enhederne mindre, samtidig med at udgangseffekten øges i højtemperaturapplikationer som i invertere til xEV’er.
Rohm begyndte sin bare-die forretning med 5. generations SiC MOSFET’er i 2025 og har afsluttet udviklingen i marts 2026. Desuden vil Rohm fra juli 2026 levere samples af diskrete enheder og moduler, der anvender 5. generations SiC MOSFET’er.
