Mouser Electronics, Inc. udgiver en ny eBook i samarbejde med Analog Devices, Inc. (ADI) og Bourns for at undersøge de fordele og udfordringer, som Gallium Nitride (GaN) teknologien giver inden for effektivitet, ydelse og bæredygtighed.
10 Experts Discuss Gallium Nitride Technologyundersøger, hvordan GaN-teknologi baner vejen for højere effektivitet, hurtigere switching-hastigheder og større effekttæthed i forhold til silicium og revolutionerer effektelektronikken. Fordelene ved GaN-teknologi har vidtrækkende implikationer på tværs af flere industrier lige fra automobilsektoren og industrielle applikationer til forbrugerelektronik og bæredygtig energi.
Den nye eBook giver indblik i GaN fra eksperterne hos ADI, Bourns og flere andre virksomheder, de udfordringer som nye GaN-designere står overfor, og hvordan man bedst kan navigere i overgangen fra silicium til GaN. Den nye eBook sætter også fokus på relevante produkter fra ADI og Bourns, inklusive GaN-controllere og -drivere, effektspoler og meget mere.
ADI’s LTC7890/1 synkrone step-down controllere er en højtydende step-down, switchende DC/DC-regulator/-controller, der kan styre synkrone N-kanal GaN FET-effekttron fra input-spændinger op til 100V. Komponenterne forenkler designet, men kræver ingen beskyttelsesdioder eller andre eksterne komponenter sammenlignet med silicium MOSFET-løsninger.
LT8418 er en 100V halvbro GaN-driver, der har integreret top- og bund driver-trin, driver-logikstyring og beskyttelse. LT8418 indeholder opdelte gate-drivere til justering af turn-on og turn-off slew-rates i GaN FETs til undertrykkelse af ringning og optimering af støjydelsen.
Høje switch-frekvenser i GaN-teknologien kræver et omhyggeligt valg af de passive komponenter. Bourns leverer avancerede magnetiske komponenter optimeret til GaN’s højere frekvenser, inklusive virksomhedens PQ flade effektspoler, CWP3230A chip-spoler samt TLVR1105T TLVR-spoler. Disse komponenter har en lav induktans, høje nominelle strømværdier samt en skærmet konstruktion for lav støjudstråling.
Bourns HCTSM150102HL transformer har en forstærket isolation, 15mm minimum krybe- og isolationsafstand og modstår op til 7,64kV (2 sek.) spænding, hvilket giver et forhøjet niveau af isolation fra farlige høje spændinger. Transformerer er konstrueret med en ferrit ringkerne for høj koblingsfaktor og høj effektivitet.
For at læse den nye eBook, besøg: https://resources.mouser.com/manufacturer-ebooks/adi-bourns-10-experts-discuss-gallium-nitride-technology-mg/.
