Nexperia fremstiller nu PESD2V8R1BSF, branchens første ESD-beskyttelseskomponent målrettet til USB4TM standarden med en førende RF-ydelse. Hvad der især er af interesse for designere af USB4TM- og Thunderbolt-interfaces er de nye komponenters brug af Nexperia’s TrEOS ESD-beskyttelsesteknologi, der indeholder en aktiv siliciumstyret ensretning. Det sikrer en vindende kombination af ekstremt lav kapacitans (ned til 0,1pF), ekstremt lav clamping (dynamisk modstand ned til 0,1Ω) samt en høj robusthed over for surges og ESD-pulser (op til 20A 8/20µs til hurtige dataforbindelser). PESD2V8R1BSF leveres i et SOD962-hus med en ultralav induktans.
For at undgå problemer omkring signalintegritet har PESD2V8R1BSF ESD-beskyttelsesdioderne ekstremt lave insertionstab på kun -0,21dB ved 10GHz og tilsvarende lave tal for returtab på blot -17,4 dB ved 10GHz. De nye ESD-beskyttelseskomponenter egner sig især til de højere spændingskrav i USB 3.2. Det betyder, at beskyttelseskomponenterne også kan placeres direkte bag USB Type-C konnektorer til beskyttelse mod koblingskapacitans og alligevel være bagud kompatibel med USB3.2.
TrEOS beskyttelsesdioderne er kapslet i yderst kompakte og meget robuste DSN0603-2 (SOD962) huse. Fordelene ved denne vidt udbredte 0603-formfaktor er den laveste induktans til den hurtigste beskyttelse samt en reduktion af mekanisk og termisk stress, da bonding-trådene er erstattet af en integration i et monolitisk kredsløb.
Mere information om den nye ESD-beskyttelseskomponent, PESD2V8R1BSF, inklusive produktspecifikationer og datablade er tilgængelige på: http://www.nexperia.com/USB4protection