Cambridge GaN Devices (CGD), en fabløs clean-tech halvledervirksomhed, der udvikler flere energieffektive GaN-baserede effektkomponenter for grønnere elektronik, imødekommer nu behovet for endnu højere effekter i industrielle applikationer med sin ICeGaN™ teknologi, der allerede har bevist sin funktion som robust, pålidelig og letanvendelig i højvolumen forbrugerprodukter. Under APEC 2024, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition, har CGD introduceret nye referencedesigns og demoer, som henvender sig til det brede og alsidige industrielle marked.
– Vi har stor fokus på de øgede effektkrav, som de industrielle applikationer stiller med et samtidigt behov for højere effektivitet. Anvendelse af AI har blandt andet allerede ført til en eksponentiel vækst i den effekt, som datacentre flere steder i verden kræver. Andre applikationer som solcelleinvertere, forstærkere, transportapplikationer og smart-mobility foruden proceskontrol og produktionsanlæg viser også interesse for GaN-teknologien, og de feedbacks, vi har modtaget, peger på, at industrien er rigtig glad for enkeltheden i vores ”Drive it Like a MOSFET” tilgang til brug af GaN-effektkomponenter, siger Andrea Bricconi CCO i CGD.
Under APEC kan/kunne besøgende på standen se de fremskridt, som CGD tilbyder inden for support af både nye og eksisterende markeder for GaN-teknologi.
Med sin høje effekttæthed på 23 W/in3, har GGD’s 350W PFC/LLC-referencedesign en typisk effektivitet på 93% samt et ubelastet effekttab på kun 150mW. Det har været muligt at realisere end CrM Totem Pole PFC + Halvbro LLC PSU med CGD’s 650V, 55mΩ, H2-serie af ICeGaN-teknologi med et 20V/17,5A-output.
Resultatet af et makkerskab fra sidste år med Neways Electronics er en 3kW fotovoltaisk inverter, som overfører spændingen fra DC-solcellepaneler til en stabil DC link-spænding. Med en maksimal effektivitet på hele 99,22% på grund af zero-current switching er det et perfekt eksampel på, hvordan CGD’s GaN HEMT-struktur er let for designere at bruge, da man kan styre effekttrinnet med en standard siliciumcontroller fra Analog Devices Inc.
ICeGaN er blevet brugt af AGD Productions til virksomhedens kompakte AGD DUET-forstærker, som leverer 300W i 4Ω. Det er første gang, at virksomheden bruger et 100% GaN-effekttransistordesign til både strømforsyning og forstærkerkredsløb.
Endelig er der GaNext projekter, et konsortium af 13 partnere fra tre nationer, som fremviser kompakte 1kW intelligent effektmoduler, der har integrerede drev, spændingsstyring og beskyttelseskredsløb alle med CGD’s ICeGaN-teknologi.
