Toshiba Electronics Europe GmbH (“Toshiba”) lancerer en 1200V siliciumcarbid (SiC) MOSFET til industrielle højeffektapplikationer som 400VAC-input AC/DC-strømforsyninger, solcelle (PV) invertere og tovejs DC/DC-konvertere til UPS’er (uninterruptible power supplies).
Den nye TW070J120B power-MOSFET bruger SiC, det nye wide-bandgap materiale, som bedre tåler høje spændinger og high-speed switching, med som omvendt giver en lav on-modstand sammenlignet med konventionelle MOSFETs og IGBT-produkter baseret på siliciumteknologi. De nye SiC MOSFETs vil derfor i høj grad bidrage til et reduceret energiforbrug og en forhøjet effekttæthed, hvad der muliggør en betydelig system-downsizing.
De nye SiC MOSFET er fremstillet med Toshibas 2. generations chip-design, hvilket øger pålideligheden betydeligt. Desuden har TW070J120B en lav input-kapacitans (CISS) på 1.680pF (typ.), en lav gate-input ladning (Qg) på 67nC (typ.), samt en drain-source on-modtand (RDS(ON)) på blot 70mΩ (typ.).
Sammenlignet med en 1.200V silicon IGBT som Toshibas GT40QR21 reducerer den nye komponent turn-off switch-tabene med rundt regnet 80% og switch-tiden (faldtiden) med rundt regnet 70% ved lave on-spændingskarakteristika med drain-strømme (ID) på op til 20A.
Gate-tærskelspændingen (Vth) er sat højt (mellem 4,2V og 5,8V), for at reducere risici for utilsigtede- eller spurious turn-on eller –off situationer. En inkluderet SiC-Schottky barrierediode (SBD) med en lav forward-spænding (VDSF) på kun -1,35V (typ.) hjælper også til at reducere tabene.
Den nye TW070J120B MOSFET er kapslet i et TO-3P(N) hus og vil lette design af højeffektiv effektelektronik især til de industrielle applikationer, hvor den øgede effekttæthed også vil bidrage til mindre apparatstørrelse og –vægt.
Yderligere information om den nye komponent kan ses på:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/detail.TW070J120B.html
