Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer TPH2R70AR5, en ny 100V nominelt N-kanal effekt-MOSFET fremstillet med den nyeste generation af processer, kendt som U-MOS11-H. MOSFET’en primært blive tilbudt til switch-mode strømforsynings (SMPS) applikationer, især til højeffektive DC/DC-konvertere. Typiske applikationer vil være sektorerne inden for datacentre, kommunikationsbasestationer andet high-end industrielt udstyr.
På grund af den avancerede 100V U-MOS11-H proces giver TPH2R70AR5 betydelige ydelsesmæssige fordele i forhold til komponenter produceret med den foregående U-MOSX-H proces. Sammenlignet med den tidligere TPH3R10AQM er drain-source on-modstanden (RDS(ON)) for ekesmpel blevet reduceret med omtrent 8% til kun 2,7mΩ (max.) mens gate-drain ladningen (Qg) nu er 37% lavere ved 52nC (typ.). RDS(ON) x Qg figure-of-merit (FoM-produktet) er derfor forbedret med 42%.
Desuden opnår TPH2R70AR5 en high-speed body-diode ydelse gennem tilføjelsen af af en såkaldt ”lifetime-control” teknologi. Resultatet er – sammenlignet med TPH3R10AQM – at switching-hastigheden bliver forbedret ligesom diode recovery-tiden og støjen er mindre. Lifetime-control teknologien reducerer desuden reverse recovery ladningen (Qrr) til 55nC (typ.) med undertrykkelse af spænding-spikes. RDS(ON) x Qrr FoM er forbedret med rundt regnet 43%.
De afgørende RDS(ON), Qg, og Qrr-karakteristika reducerer både lede- og switching-tab, hvilket bidrager til en højere effektivitet i effektapplikationer. Det mindsker driftsomkostningerne og tillader desuden en større effekttæthed. Med kapsling i SOP Advance (N) huse, der har et footprint på kun 5,15mm x 6,1mm har den nye komponent en fremragende montagekompatibilitet i forhold til industristandarderne.
Den nye TPH2R70AR5 tåler maksimalt en drain-strøm (ID) på 190A ved en ambienstemperatur på 25°C. Komponenten kan arbejde med en kanaltemperatur (Tch) op til 175°C, hvilket minimerer behovet for ekstern køling i mange tilfælde.
Toshiba leverer også support-værtkøjer til kredsløbsdesign: G0 SPICE-modellen, som verificerer kredsløbsfunktioner på kort tid, og den yderst præcise G2 SPICE-model, som nøjagtigt reproducerer transientkarakteristika for komponenten. Alle support-værktøjer er tilgængelige som gratis downloads fra Toshibas website.
Se mere om den nye TPH2R70AR5 N-kanal effekt-MOSFET on Toshiba’s website: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH2R70AR5.html
