Toshiba Electronics Europe udvider sin familie af U-MOS IX-H komponenter med lavvolt N-kanal power MOSFETs 40V- og 45V-produkter, der giver industriens laveste on-modstand og high-speed ydelse. De nye produkter – ni 40V- og fem 45V-versioner – er designet til industri- og forbrugerapplikationer som højeffektive DC/DC-konvertere, AC/DC-konvertere, strømforsyninger og motordrev.
De nye MOSFETs bruger Toshibas nyeste generation af lavvolt trench-strukturer, den såkaldte U-MOS IX-H proces, som kombinerer industriens laveste on-modstand og lave output-ladninger, som samlet giver en meget effektiv high-speed ydelse. Afhængigt af komponenten spænder de maksimale RDS(ON) (@VGS=10V) fra 0,80mΩ til 7,5mΩ.
De nye strukturer sænker ydelsesproduktet, RDS(ON) * Qsw, til et niveau, som ligger under de nuværende grænser for Toshiba-produkter. Output-tab bliver mindsket gennem en reduktion af output-ladningen, hvilket giver en højere systemeffektivitet. Desuden er cellestrukturerne i de nye MOSFETs optimeret til undertrykke spikes og ringning under switching, hvad der medvirker til en lavere systemstøj.
De foretrukne kapslinger er SOP-Advance på 5mm x 6mm samt TSON-Advance på 3mm x 3mm. Alle de nye produkter supporterer drev på 4,5V logikniveau.
Toshiba Electronics Europe GmbH
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com.