Toshiba Electronics Europe lancerer nu “TPWR7940PB” og “TPW1R104PB”, begge 40V N-kanal power MOSFETs i DSOP Advance (WF) kapslinger med dobbeltsidet køling. TPWR7940PB er en 40V max 0,79mΩ MOSFET i DSOP Advance(WF)L-hus, mens TPW1R104PB er en 40V max 1,14mΩ MOSFET i DSOP Advance(WF)M-hus. Begge komponenter er baseret på den nyeste trench-struktur U-MOSIX-H proces og er AEC-Q101-kvalificerede. De er typisk rettet mod automotive applikationer som elektrisk power-styring (EPS), elektriske pumper og switche til kraftige belastninger.
Både DSOP Advance (WF)M og DSOP Advance (WF)L er 5mm x 6mm kapslinger med 8 pins. DSOP Advance (WF)M og DSOP Advance (WF)L er anderledes gennem deres blottede område på toppens metalplade. Dette område er omtrent 8mm2 i DSOP Advance(WF)M-huse og 12mm2 i DSOP Advance (WF)L-huset. Målt i Toshiba’s eget testmiljø er den maksimale kanal-til-topplade termiske ydelse 1,5K/W for TPW1R104PB og 0,93K/W for TPWR7940PB. Den fremragende termiske ydelse kan man opnå ved at montere det blottede metalareal til en køleplade (som et metalchassis) via et isolationslag.
DSOP Advance (WF)M og DSOP Advance (WF)L husene er footprint-kompatible med SOP Advance (WF)-kapslingen, der dog ikke har det blottede metalareal i toppen. DSOP Advance (WF)M og DSOP Advance (WF)L-husene har en wettable flanketerminalopbygning, der tillader AOI (Automatisk Optisk Inspektion) af komponentens lodninger på printet. AOI er især vitalt i automotive produktionsmiljøer, hvor en verifikation af loddekvaliteten er påkrævet.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com.