Toshiba Electronics Europe lancerer en ny serie af MOSFETs, der indeholder en aktiv clamping-struktur med indbygget diode mellem drain- og source-terminalerne. De opfylder behovet for et minimum af eksterne komponenter, og single-MOSFET’en, SSM3K357R, samt dual-MOSFET’en, SSM6N357R, er velegnede til at styre induktive belastninger som mekaniske relæer eller solonoider.
Den nye 357-serie beskytter drivere mod potentiel skade fra spændingstransienter som mod-EMK fra induktive belastninger. Serien indeholder en pull-down modstand, en seriemodstand og en zener-diode, der alle hjælper til at spare printplads og mindske antallet af komponenter.
Komponenterne tåler en maksimal drain-source spænding (VDSS) på 60V og en maksimal drain-strøm (ID) på 0,65A. En lav drain-source on-modstand (RDS(ON)) på 800mΩ ved VGS=5,0V sikrer en effektiv drift med minimal varmeudvikling.
Single-MOSFET’en, SSM3K357R er kapslet i et 2,9mm x 2,4mm x 0,8mm SOT-23F hus og egner til styring af relæer og solonoider med en lav driftsspænding på blot 3,0V. Da komponenterne er kvalificeret i forhold til AEC-Q101, egner komponenterne sig til automotive- og mange slags industrielle applikationer.
Dual-MOSFET’en, SSM6N357R leveres i et 2,9mm x 2,8mm x 0,8mm TSOP6F-hus, hvad der muliggør brugen af to komponenter på printet med et 42% mindre behov for printareal end ved anvendelse af to diskrete komponenter.
SSM3K357R og SSM6N357R er klar til udskibning i volumenkvanta.
For mere information besøg venligst Toshiba Electronics Europe’s website på http://www.toshiba.semicon-storage.com.