Toshiba Electronics Europe GmbH lancerer de nye TWxxxZxxxC serier af ti siliciumcarbid (SiC) MOSFETs baseret på virksomhedens tredje-generations teknologi. De nye MOSFETs skal reducere tab i en række industrielle applikationer som switchede strømforsyninger til servere og datacentre, ladestationer til elbiler, solcelle-invertere og UPS’er (uninterruptible power supplies).
Komponenterne i TWxxxZxxxC-serierne er de første Toshiba SiC-produkter, der er kapslet i TO-247-4L(X) huse med en fjerde pin. Det giver mulighed for en Kelvin-forbindelse af signal-source terminalen for gate-driveren, hvilket reducerer den parasitiske induktans’ effekt på den interne source-wire og forbedrer high-speed switching-ydelsen. Sammenligner man TW045Z120C med Toshibas eksisterende TW045N120C (3-pin TO-247) ser man en minimering af turn-on tabene med rundt regnet 40%, mens turn-off tabene er reduceret med omtrent 34%.
De nye TWxxxZxxxC-serier omfatter fem komponenter til nominelle drain-source (VDSS) spændinger på 650V samt yderligere fem komponenter til nominelt 1.200V for applikationer til højere spændinger. Den typiske drain-source on-resistance (RDS(ON)) ligger mellem 140mΩ og 15mΩ. Kombineret med lave gate-drain ladningsværdier (QGD) vil det muliggøre endnu lavere tab i højfrekvente applikationer.
Komponenterne er i stand til at levere kontinuerte drain-strømme (ID) op til 100A.
Besøg Toshibas website for mere information:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfets.html
