Toshiba Electronics Europe lancerer to nye N-kanal MOSFET-drivere, der er velegnede til hurtigladere og andre højstrømsapplikationer.
De nye TCK401G (aktiv-high) og TCK402G (aktiv-low) charge pump driver IC’er egner sig til mobile højstrømsapplikationer, hvor de kan bruges sammen med N-kanal MOSFETs med en lav RDS(on). Driver-IC’erne supporter flere indbyggede sikkerhedsfunktioner som overspændingsbeskyttelse, inrush-strømreduktion og automatisk afladning af output.
Med en forsyning fra en input-spænding mellem 2,7 og 28VDC trækker TCK401G kun 121μA hvilestrøm (IQ). Switch-tiderne for gate-spændingerne (VGATE) er 0,58ms (ON) og 16,6μs (OFF).
Man kan realisere et højeffektivt strømforsyningskredsløb med én af de nye drivere og bare én eller to eksterne N-kanal MOSFETs med en maksimal nominel spænding og on-modstand svarende til den tiltænkte applikation. Et eksempel kunne være kombinationen af en TCK40xG driver-IC og en SSM6K513NU MOSFET med lav on-modstand, hvilket er ideelt til mobile- eller forbrugerapplikationer, da det dermed er muligt at bygge en 100W-strømforsyning med et meget kompakt footprint.
Selv med et meget stort integrationsniveau er driver-IC’erne kapslet i blandt industriens mindste huse, nemlig WCSP6E-kapslingen, som måler bare 0,8mm × 1,2mm × 0,55mm.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com.