Power Integrations (NASDAQ: POWI), den førende virksomhed inden for gate-driverteknologi til mellem- og højspændings-inverterapplikationer, lancerer det nyeste medlem i InnoMux™-2 familien af single-trin, uafhængigt regulerede multi-output offline strømforsynings-IC’er. Den nye komponenter bruger industriens første 1.700V galliumnitrid-switch, fremstiller med virksomhedens egen PowiGaN™ teknologi. De 1.700V giver ydermere fordele for state-of-the-art i GaN-effektkomponenter i forhold til Power Integrations’ egne tidligere 900V- og 1.250V produkter fra 2023. 1.700V InnoMux-2 IC’en supporterer let nominelle 1.000VDC på input i en flyback-konfiguration med over 90 procents effektivitet i applikationer, der kræver en, to eller tre forsyningsspændinger. Hvert output er reguleret inden for en procents præcision, hvilket eliminerer efterregulering, og det ydermere systemeffektiviteten med rundt regnet ti procent. Den nye komponent erstatter de dyrere siliciumcarbid (SiC) transistorer i effektapplikationer som billadere, solcellerinvertere, trefasede målere og en række industrielle forsyningssystemer.
– Vores hurtige udvikling af GaN-teknologien har ført til tre verdenspremierer i løbet af kun to år: 900V, 1.250V og nu 1.700V. Vores nye InnoMux-2 ICs kombinerer 1.700V GaN og tre andre nye innovationer inden for uafhængig og præcis, multi-output regulering; FluxLink™, vores sekundærside regulering (SSR) til digital isolationskommunikationsteknologi samt zero voltage switching (ZVS) uden brug af active-clamp, der alle minimerer switching-tab, siger Radu Barsan, vice president of technology hos Power Integrations.
– De nominelle 1.700V er betragteligt højere end for nogen andre kommercielt tilgængelige GaN HEMT, så vidt vi ved. Markedet for effekt-GaN komponenter forventes at nå op på 2 mia. USD ved slutningen af dette årti med applikationer, der spænder over utallige applikationer og med en række mulige prisfordele i forhold til SiC, siger Ezgi Dogmus, activity manager, compound semiconductors i Yole Group.
