Infineon Technologies AG og Rohm Co., Ltd. har underskrevet en hensigtserklæring om at samarbejde om pakker til siliciumkarbid (SiC) effekthalvledere, der anvendes i applikationer som indbyggede opladere, solceller, energilagringssystemer og AI-datacentre. Specifikt sigter partnerne mod at gøre hinanden til second source for udvalgte huse til SiC-komponenterne, et skridt, der vil øge design- og indkøbsfleksibiliteten for deres kunder. I fremtiden vil kunderne kunne finde enheder med kompatible huse fra både Infineon og Rohm. Samarbejdet vil sikre problemfri kompatibilitet og udskiftelighed, der matcher specifikke kundebehov.
Som en del af aftalen vil Rohm anvende Infineons innovative komponentplatform med topsidet køling SiC, herunder TOLT-, D-DPAK-, Q-DPAK-, Q-DPAK dual- og H-DPAK-pakker. Infineons komponenter med topsidet køling giver flere fordele, herunder en standardiseret højde på 2,3 mm for alle kapslinger. Det letter designet og reducerer systemomkostninger til køling, samtidig med at det muliggør bedre udnyttelse af pladsen på printet og op til dobbelt så høj effekttæthed.
Samtidig vil Infineon tage fat i Rohms DOT-247-pakke med SiC-halvbrokonfiguration til udvikling af en kompatibel kapsling. Det vil udvide Infineons nyligt annoncerede Double TO-247 IGBT-portefølje til at omfatte SiC-halvbroløsninger. Rohms avancerede DOT-247 leverer højere effekttæthed og reducerer monteringsindsatsen sammenlignet med standard separate pakker. Med en unik struktur, der integrerer to TO-247-pakker, gør den det muligt at reducere termisk modstand med cirka 15 procent og induktansen med 50 procent sammenlignet med TO-247. Fordelene giver 2,3 gange højere effekttæthed end TO-247.
Infineon og Rohm planlægger at udvide deres samarbejde i fremtiden til at omfatte andre pakker med effektteknologier til både SiC og galliumnitrid (GaN). Det vil yderligere styrke forholdet mellem de to virksomheder og give kunderne et endnu bredere udvalg af løsninger og sourcing-muligheder.
