Power Integrations (NASDAQ: POWI), førende producent af højvolt IC’er til energieffektiv effektkonvertering, lancerer en ny familie af plug-and-play gate-drivere til 62mm siliconkarbid (SiC) MOSFETs og silicium IGBT-moduler op til 1.700V med udvidede sikkerhedsfunktioner, der garanterer pålidelig og sikker drift. SCALE™-2 2SP0230T2x0 dual-kanal gate-driverne giver kortslutningsbeskyttelse på mindre end to mikrosekunder, hvilket beskytter de kompakte SiC MOSFETs mod skadelige overstrømme. De nye drivere inkluderer også AAC (advanced active clamping) til at beskytte switches agains mod overspændinger under turn-off, hvorved højere DC-link driftspændinger bliver mulige.
– 2SP0230T2x0 gate-driverne er fleksible, da den samme hardware kan bruges til styring af enten SiC MOSFETs eller IGBT-moduler, Det reducerer såvel systemdesign- som sourcing-opgaver, ligesom drivernes plug-and-play tilgang giver en hurtigere implementering, siger Thorsten Schmidt, product marketing manager hos Power Integrations.
2SP0230T2x0 gate driverne er ideelle til applikationer som auxillary-konvertere til jernbaneformål, offboard elbil-opladere og STATic synchronous COMpensator (STATCOM) spændingsregulatorer til elnettet. De nye gate-drivere er baseret på Power Integrations’ gennemprøvede SCALE-2 teknologi, der giver højere integrationsniveauer, mindre størrelse, en højere grad af funktionalitet og forbedret systempålidelighed. Power Integrations’ kompakte 134mm x 62mm 2SP0230T2x0 har et forstærket isolationsniveau op til 1.700V, så drift til denne nominelle spænding bliver mulig. Det er 500V over konventionelle drivere, der typisk er begrænset til 1.200V.
For mere information, se venligst: http://www.power.com.
