Af Jørgen Sarlvit Larsen
På IRPS 2026 (International Reliability Physics Symposium ) konferencen i næste uge, 22.-26. marts i Tucson, Arizona, USA, vil CEA-Leti præsentere sin omfattende forskning inden for pålidelighed i mikroelektronikken. Med syv indlæg vil instituttet belyse sin ekspertise inden for device-fysik, procesintegration, RF teknologier, FD-SOI waferteknologi, GaN og BEOL pålidelighed, samt lavtemperatur platforme til sekventiel 3D integration. Dertil vil instituttets forskningsingeniører komme med to andre projekter, som vil blive præsenteret.
Præsentationernes titler er:
- ”RF Aging Extensive Characterization & Modeling for Reliability‑Aware Power Amplifier Design.”
- ”Thermal Robustness of a CMOS‑Compatible GaN‑on‑Si MIS‑HEMT Technology.”
- ”Reaching the BTI 10‑Year Lifetime for 2.5 V BEOL‑Compatible (< 420 °C) High‑Voltage Si‑CMOS.”
- ”Influence of Channel Doping on HCI Degradation in Analog SOI nMOSFETs.”
- ”Improving Electromigration Lifetime Through Power‑Grid Segmentation: An Experimental Study.
- ”Ground-Plane Effect on Random Telegraph Noise in Mesa-Isolated SOI MOSFETs for 3D Sequential CISi.”
- ”Dit-Nt Correlation in pBTI Stressed SOI nMOSFET via Low Frequency Noise Measurements.”
- ”Spacer Trapping Effect on Hot‑Carrier Degradation Dynamics for Advanced FD‑SOI Nodes.”
- ”Modeling the Impact of HK Thickness Scaling (Down to 1.1 nm) on Gate Leakage and PBTI in Advanced FD‑SOI Devices.”
– Disse præsentationer reflekterer dybden i Leti’ forskning inden for mikroelektroniks pålidelighed, lige fra lavtemperatur integration og avanceret materialeanalyse til fysisk-baseret modellering og mindre besvær på design niveauet. Takket være en dyb forståelse af degraderingens nøglemekanismer og begrænsninger på kredsløbsniveauet kan vort team give en praktisk indsigt, der accelererer den industrielle implementering af teknologier såsom GaN, FD-SOI og sekventiel 3D integration, siger Olivier Faynot, direktør for CEA-Leti’s siliciumkomponent sektion .
