Af Jørgen Sarlvit Larsen
Det europæiske pilotlinie projekt, FAMES Pilot Line, der koordineres af franske CEA-Leti i Grenoble, er nu officielt indviet 30. januar 2026 to år efter starten af dette unikke initiativ, som skal være med til at sikre europæisk suverænitet på halvlederområdet. FAMES leverer allerede validerede tekniske resultater inden for FD-SOI, RF, embedded non-volatile hukommelser, 3D integration og effektstyrings IC’er produceret på 300 mm proceslinie. Den åbne adgang til pilotlinien gør FAMES tilgængelig primært, men ikke udelukkende, for start-up’er, SME’er, industrielle grupper og forskningsinstitutioner, som vil prototype, kvalificere og risikominimere avancerede halvlederteknologier inden lancering i industriel skala.
– Det faktum, at resultaterne allerede er blevet publiceret og valideret internationalt, understreger den betydning FAMES er tænkt som. Og pilotlinien er allerede en operativ platform, hvor avancerede teknologier bliver modnet, demonstreret og forberedt til industrien, sagde Dominique Noguet, vice president hos CEA-Leti og koordinator af pilotlinien.
Blandt de seneste milepæle har CEA-Leti nyligt præsenteret resultaterne på IEDM 2025 konferencen, hvor man demonstrerede fuldt funktionsdygtige 2,5 V SOI CMOS enheder fabrikeret ved en temperatur på 400 °C og med samme ydelse som konventionel højtemperatur CMOS. Dette resultat fjerner en nøglebarriere for 3D sekventiel integration i stor skala og muliggør tætte flerlags chip arkitekturer kompatible med back-end processer, som også er en af målsætningerne med FAMES.
Med det ekstra nye renrum på 2000 m2 udvides Leti’s renrum område til hele 14.000 m2. Det vil rumme mere end 80 state-of-the-art 300 mm renrums værktøjer, og er desuden forsynet med systemer som muliggør avanceret optimering og reduktion af miljøbelastningen.
– De banebrydende teknologier udviklet i FAMES vil understøtte fremtidige generationer af sub-10 nm FD-SOI chips, som muliggør højt ydende og low power komponenter til Europa. Nedskaleringen af FD-SOI teknologien til 10 nm og 7 nm vil markant forbedre ydelsen mht. densitet, effektforbrug, hastighed og RF egenskaber sammenlignet med de nuværende halvledergeometrier, konkluderede Jean-René Lèquepeys, vice direktør og CTO hos CEA-Leti.
