Rohm har udviklet effekt IC’er med indbyggede 650V GaN HEMT’er og gate-driver – BM3G0xxMUV-LB-serien. Enhederne er ideelle til primære strømforsyninger inden for industri- og forbrugerapplikationer såsom dataservere og AC-adaptere.
Forbruger- og industrisektorerne efterspørger større energibesparelser for at opnå et bæredygtigt samfund. Mens GaN HEMT’er forventes at bidrage væsentligt til større miniaturisering og forbedret effektkonverteringseffektivitet, kræver problemerne ved at styre gaten sammenlignet med konventionelle silicium MOSFETs brug af en dedikeret gate-driver. Derfor har Rohm udviklet effekt-IC’er med integrerede GaN HEMT’er og gate-drivere i én samlet pakke, hvilket letter design og montage betydeligt.
Oven i købet indeholder BM3G0xxMUV-LB-serien (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) flere funktioner og perifere komponenter designet til at maksimere GaN HEMT-ydelsen sammen med 650V GaN HEMT’erne. Rohms proprietære funktioner såsom et bredt driver input-spændingsområde (2,5V til 30V) muliggør kompatibilitet med praktisk talt enhver controller-IC i primære strømforsyninger – hvilket letter erstatning af eksisterende silicium (Super Junction) MOSFETs med GaN-komponenter. Det gør det muligt samtidig at reducere komponentvolumen og strømtab betragteligt, så man opnår en langt højere effektivitet fra en mindre formfaktorer.
Partnumre:
BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB
Evaluerings-boards:
BM3G007MUV-EVK-002 (PFC 240W)
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
Rohm halvleder
http://www.rohm.com
