Rohm har udviklet effekt-IC’er med indbyggede 650V GaN HEMT’er og gate-drivere – BM3G0xxMUV-LB-serien. Komponenterne er ideelle til primære strømforsyninger inden for industri- og forbrugerapplikationer såsom dataservere og AC-adaptere.
Forbruger- og industrisektorerne efterspørger stadigt større energibesparelser for at opnå bæredygtige resultater. Men mens GaN HEMT’er forventes at bidrage væsentligt til større miniaturisering og forbedret effektkonverteringseffektivitet, er vanskeligheden med at håndtere gate-styringerne sammenlignet med silicium MOSFET’er ofte overvældende. Som modsvar har Rohm udviklet effekt-IC’er, der integrerer GaN HEMT’er og gate-drivere i en enkelt pakke, hvilket letter design og montage betydeligt.
Desuden inkluderer BM3G0xxMUV-LB-serien (BM3G015MUV-LB, BM3G007MUV-LB) yderligere funktioner og perifere komponenter designet til at maksimere GaN HEMT-ydelsen sammen med 650V GaN HEMT’er. Og Rohms funktioner som et bredt driver-spændingsområde (2,5V til 30V) muliggør kompatibilitet med praktisk talt enhver controller-IC i de primære strømforsyninger – hvilket letter udskiftning af eksisterende silicium (Super Junction) MOSFET’er. Det gør det muligt samtidig at reducere komponentvolumen og strømtab med henholdsvis ca. 99 % og 55 %, hvilket giver en større effektivitet i en mindre formfaktor.
Et bredt driver-spændingsområde (2,5V til 30V), kort latency og hurtig opstartstid muliggør kompatibilitet med stort set enhver controller-IC i typiske strømforsyninger.
For yderligere information, kontakt venligst http://www.rohm.com
