Cambridge GaN Devices (CGD), en fabløs clean-tech halvledervirksomhed, der udvikler flere energieffektive GaN-baserede effektkomponenter for grønnere elektronik, lancerer nu sin anden serie i ICeGaN™ 650 V galliumnitrid HEMT-familien, der giver branchens bedste robusthed, enkle brug og maksimale effektivitet. H2-serien af ICeGaN HEMTs anvender CGD’s smart-gate interface, der stort set eliminerer de typiske svagheder fra e-mode GaN-komponenter med en derfor betydeligt forbedret overspændingsrobusthed, en højere støjimmunitet, bedre dV/dt-undertrykkelse og ESD-beskyttelse. Som i tidligere generationer af komponenter kan den nye 650V H2 ICeGaN-transistorer styres på samme måde som Si MOSFETs, hvilket eliminerer behovet for komplekse og ineffektive styringskredsløb, så man i stedet kan bruge kommercielt tilgængelige, industrielle gate-drivere. Desuden har H2 ICeGaN HEMTs en QG ti gange mindre end for ækvivalente siliciumkomponenter samt en fem gange mindre QOSS. Det gør H2 ICeGaN HEMTs i stand til at mindske switching-tabene ved høje switching-frekvenser betydeligt, hvad der igen reducerer størrelse og vægt. Alt i alt giver det klassens bedste ydelse med en effektivitet hele 2% bedre end branchens bedste Si MOSFETs i SMPS-applikationer.
ICeGaN H2-serien indeholder det innovative NL3 (No Load and Light Load) kredsløb integreret on-chip sammen med GaN-switchen, hvad der resulterer i rekordlave effekttab. En avanceret clamping-struktur med en integreret Miller Clamp – også on-chip – eliminerer behovet for negative gate-spændinger, hvilket giver en ægte nulspændings turn-off og forbedrer den dynamiske RDS(ON) yderlse. De nye e-mode (normalt off) single-chip GaN HEMT-komponenter inkluderer et monolitisk-integreret interface og beskyttelseskredsløb for at give en hidtil uset gate-pålidelighed og et enkelt design. Endelig betyder en strømsensorfunktion, at effekttabet mindskes, og en direkte forbindelse til jord optimerer kølingen og minimerer støjen.
– CGD har løst alle de udfordringer, der normalt forsinker accepten af nye teknologier. Desuden kan vi nu tilfredsstille volumenmarkedet med vores nye H2-serie af ICeGaN-transistorer, der er tilgængelige gennem den etablerede supply chain, siger Giorgia Longobardi, der er CEO for og medstifter af CGD.
