Franske CEA-Leti vil på dette års IEDM (International Electron Devices Meeting) konference i San Francisco 9.-13. december præsentere 9 indlæg med fokus på fremskridt inden for 3D integration, RF & power samt kvantum & neuromorfisk computerteknik. To af præsentationerne vil fokusere på et gennembrud inden for sekventiel 3D integration samt resultater, der fører GaN/Si HEMT tættere på GaN/SiC ydelsen i effekttæthed ved 28 GHz.
Desuden er CEA-Leti vært for en workshop, hvor forskningsinstituttets eksperter vil fremlægge deres visioner for, hvordan halvlederkomponenterne bliver mere effektive og klimamæssigt bæredygtige, herunder computerteknik og RF-enheder i More-than-Moore applikationer.
