Toshiba Electronics Europe GmbH udvider sit program med lanceringen af IX800FXF2YMS4, et dual SiC MOSFET-modul. Det nye modul har evnen til at håndtere høje strømme til support af pålidelig drift i industrielt udstyr som invertere og motorer samt konvertere til brug i jernbanemateriel foruden effektkonverteringssystemer som solid-state transformere, UPS’er og energilagringssystemer. Det medvirker desuden til at forbedre systemeffektiviteten gennem reducerede lede- og switching-tab.
IX800FXF2YMS4 bruger Toshibas forbedrede 3. generations siliciumkarbid (SiC) MOSFET-komponenter. Moduler har en drain-source spænding (VDSS) på nominelt 3.300V og tåler nominelt en (DC) drain-strøm på 800A.
Det nye IX800FXF2YMS4-modul har en I2t på 300kA2s for sin diodestrækning ved en initial kanaltemperatur på 175°C, VGS=-6V, en enkelt halv sinusformet 10ms puls og en F.R.=1%. Det understreger diodens evne til at håndtere peak-strømme under abnorme driftsforhold. Et optimeret SiC MOSFET-design gør denne ydelse mulig og hjælper til at forbedre systempålideligheden.
Desuden medvirker modulets lave lede- og switching-tab til en forbedret systemeffektivitet og hjælper desuden til at reducere kravene til køling af modulet. Typisk drain-source on-spænding (sense) (VDS(on)sense) er 1.4V ved ID=800A, VGS=+20V og Tch=25°C. Typiske turn-on og turn-off switching-tab (Eon and Eoff) er henholdsvis 185mJ og 175mJ ved VDD=1800V, ID=800A og Tch=175°C.
Det nye modul er kapslet i et iXPLVTM (Intelligent Flexible Package Low Voltage) hus, som anvender en sølvsintret (Ag) die-attachment til forbedring af modstandsdygtighed over varme og øget pålidelighed med support af en kanaltemperatur på nominelt 175°C. Modulet udvider Toshibas program af SiC MOSFET-moduler i iXPLV-kapslinger til nu fire produkter.
Se mere om det nye IX800FXF2YMS4 SiC MOSFET-modul på Toshibas website: https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.IX800FXF2YMS4.html
