Nexperia lancerer nu sine første siliciumcarbid (SiC) MOSFETs med to 1.200V diskrete komponenter i 3-pin TO-247-huse og RDS(on)-værdier på 40mΩ og 80mΩ. NSF040120L3A0 og NSF080120L3A0 er de første i en række af planlagte lanceringer, som vil udvide Nexperias SiC MOSFET-portefølje hurtigt med en række RDS(on)-værdier i et udvalg af huse til enten leaded- eller SMT-montage. Den nye komponenter er et svar på markedets efterspørgsel efter flere højtydende SiC MOSFETs til industrielle applikationer, herunder elektriske køretøjer (EV) energilagre, UPS’er samt invertere til sol- og energilagringssystemer (ESS).
– Med disse indledende produkter ønsker Nexperia og Mitsubishi Electric at bringe ægte innovation ind på et marked, der har skreget efter flere leverandører af wide-bandgap komponenter. Nexperia kan nu tilbyde SiC MOSFET-komponenter, som tilbyder klassens bedste ydelse på tværs af adskillige parametre, herunder lav RDS(on) temperaturstabilitet, lavt spændingsfald over body-dioden, tætte tærskelspændingsspecifikationer samt et meget velafbalanceret gate-ladningsforhold, der gør komponenten sikker imod parasitisk fejltænding. Dette er bare begyndelsen på vores forpligtelse til at producere SiC MOSFETs af højeste kvalitet i vores partnerskab med Mitsubishi Electric. Sammen vil vi utvivlsomt flytte grænserne for SiC-ydelse i løbet af de kommende år, siger Katrin Feurle, Senior Director og Head of Product Group SiC hos Nexperia.
– Sammen med Nexperia er vi begejstrede for at introducere disse nye SiC MOSFET’er som det første produkt i vores partnerskab. Mitsubishi Electric har samlet en overlegen ekspertise inden for SiC-effekthalvledere, og vores komponenter leverer en unik balance af parametre, tilføjer Toru Iwagami, Senior General Manager, Power Device Works, Semiconductor & Device Group hos Mitsubishi Electric.
RDS(on) er en kritisk parameter for ydelsen af SiC MOSFETs, da den påvirker effekttabet i ledende tilstand. Nexperia har identificeret dette som en begrænsende faktor i ydelse for mange af de aktuelt tilgængelige SiC-enheder på markedet og har brugt sin innovative procesteknologi til at sikre, at deres nye SiC MOSFET’er tilbyder brancheførende temperaturstabilitet, hvor den nominelle værdi af RDS(on) kun stiger med 38% over et driftstemperaturområde fra 25°C til 175°C. Det er markant bedre end mange andre aktuelt tilgængelige SiC-enheder på markedet.
Nexperias SiC MOSFET’er udviser også en meget lav total gate-ladning (QG), som giver fordel i form af lavere gate drive tab. Ydermere har Nexperia balanceret gate-ladningen til at have et usædvanligt lavt forhold mellem QGD og QGS – en egenskab, der øger enhedens immunitet mod parasitisk (fejl)tænding.
Sammen med den positive temperaturkoefficient for SiC MOSFETs har Nexperias SiC MOSFETs også en ultra-lav variation i tærskelspændingen mellem komponenterne, VGS(th), hvilket giver en meget velafbalanceret strømydelse under statiske og dynamiske forhold, når flere komponenter placeres parallelt. Desuden er den lave bodydiode forward-spænding (VSD) en parameter, som øger Komponentens robusthed og effektivitet, samtidig med at dødtid under asynkron ensretning og friløb bliver aflastet.
Nexperia planlægger også fremtidige lanceringer af MOSFETs til bilindustrien. NSF040120L3A0 og NSF080120L3A0 er tilgængelige i produktionsmængder nu. Kontakt venligst Nexperias salgsrepræsentanter for samples fra hele SiC MOSFET-porteføljen.
For flere oplysninger om Nexperias MOSFETs, se venligst: https://www.nexperia.com/sic-mosfets
