International Rectifier har introduceret en robust og pålidelig ultrahurtig 1400 V Trench IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der er optimeret til soft-switching applikationer som induktionkogeplader og mikrobølgeovne.
IRG7PK35UD1PbF IGBT’en er sampakket med en ultra-lav ledespændingsdiode og er baseret på IR’s Gen7 “thin-wafer trench” teknologi for at opnå en ekstrem lav VCE(ON) spænding og en ultrahurtig switching, der giver de lavest mulige lede- og switchingtab og dermed en høj systemeffektivitet i induktionsvarmeapplikationer. Ved at udvide spændingsområdet for IR’s familie af IGBT-transistorer til 1400 V er det muligt at designe højeffekt single-ended parallel-resonans powerkonvertere og giver samtidig et ekstra sikkerhedsbånd, der sikrer mere robuste designs.
Komponenten udvider IR’s gennemprøvede familie af IGBT-transistorer til soft-switching applikationer til 1400 V, hvorved designere kan udvide effektområdet for induktionsvarmesystemer. IR’s fokus på powerapplikationer gør det muligt at optimere kredsene, så de kan imødekomme de tekniske krav til forskellige powersystemer.
International Rectifier
http://www.irf.com
