Toshiba Electronics Europe (TEE) udvider sin familie af ultrahøjeffektive, lavvolt MOSFETs med tilføjelses af nye 30V- og 60V-komponenter til virksomhedens 40V-tilbud. Alle komponenter vil leveres i ultrakompakte, termisk effektive DSOP Advance-kapslingsoptioner, der i høj grad forbedrer varmeafsættelsen gennem en dobbeltsidet køling.
De nye N-kanal MOSFET udgøres af een 30V- og én 60V-komponent, som begge er baseret på Toshibas næste generation af U-MOS IX-H trench halvlederprocessen. Denne proces er designet til at give ”klassens bedste” effektivitet over et bredt udsnit af belastningstilstande ved at minimere on-modstanden (RDS(ON)) og forbedre switch-effektiviteten gennem en reduktion af gate-ladningen (QOSS).
MOSFET’erne vil hjælpe designere til at reducere tab og plads på printet i en række power management kredsløb som high-side og low-side switching i DC/DC-konvertere og synkron ensretning på sekundærsiden i AC/DC-designs. Teknolgien er også ideel til motorstyring og til beskyttelseskredsløb i elektronisk udstyr baseret på lithium-ion (Li-ion) batterier.
Ved en spænding (VGS) på 10V er den maksimale RDS(ON) for en 30V MOSFET på kun 0,6mΩ, mens den typiske COSS er 2160pF. 60V-typen har en RDS(ON) og en typisk COSS på henholdsvis 1,3mΩ og 960pF. Det giver en forbedret fleksibilitet i optimeringen til en given applikation.
De to nye UMOS IX-H MOSFETs leveres i en lavprofil overflademonteret kapsling, DSOP Advance. Begge komponenter har et footprint på bare 5mm x 6mm. Ved at vælge DSOP Advance-løsningen kan man i høj grad reducere systemtempeaturen, hvad der gør det muligt at bruge mindrekøleflader og eventuelt eliminere behovet for en køleplade helt og aldeles.
Alle de nye MOSFETs vil fungere ved kanaltemperaturer op til 175°C.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.semicon-storage.com/
