Toshiba Electronics Europe udvider sit program af automotive N-kanal power-MOSFETs med lanceringen af to nye komponenter: TK160F10N1, et 100V/160A-produkt, og TK200F04N1L, en produkt i 40V/200A-klassen. Applikationer inkluderer EPS, DC/DC-konvertere og last-switche.
Hver komponent har en chip, der bruger U-MOSVIII-H processen i et TO-220SM(W) hus, som har en reduceret kapslingsmodstand gennem en ny intern kobberforbindelse. På den måde har de nye komponenter opnået industriens bedste resultater for lave on-modstande målt ved en VGS = 10V.
RDS(ON) = 0,78mΩ (typisk) for TK200F04N1L og RDS(ON) = 2,0mΩ (typisk) for TK160F10N1.
Begge komponenter har en lav termisk modstand på Rth(ch-c) = 0,4˚C/W (max) og en maksimal junction-temperatur på 175˚C.
De nye MOSFET’er har en høj effektivitet og en lav varmeudvikling. Dertil kommer, at U-MOSVIII-H har en bedre switching ripple-undertrykkelsesevne end den foregående generation. Det bidrager til en reduktion i støjen i mange slags appikationer.
TK160F10N1 og TK200F04N1L vil opfylde de automotive AEC-Q101 kvalificeringskrav.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba.co.jp/index.htm
