Toshiba Electronics Europe udvider sin familie af højeffektive og kompakte super-junction MOSFETs med komponenter med nominelle spændinger op til 650V. De nye 650V MOSFETs er ideelle til applikationer, der skal fungere i miljøer med fluktuerende netspændinger eller meget lave temperaturer. De udvidede spændingsgrænser supporterer også designfleksibiliteten ved at give komponenterne nogle bredere operative marginer.
Toshibas nyeste 650V power MOSFETs er baseret på virksomhedens fjerde generations super-junction DTMOS IV deep trench proces og leveres i syv forskellige, kompakte huse. Komponenterne kan leveres med integreret fast recovery diode (FRD), der hjælper til at holde antallet af komponenter nede og minimerer pladskravet på printet i højfrekvente, switchede applikationer. Target-applikationer for 650V-serien inkluderer switch mode strømforsyninger, belysningsballaster, solcelle-invertere og andre designs, der kræver en kombination af high-speed drift, høj effektivitet og lav støj.
Takket være DTMOS IV-teknologien kombinerer de nye MOSFETs en ultralav on-modstand med en reduceret die-størrelse, hvad der giver nogle meget små formfaktorser uden trade-off i ydelsen. En klar fordel ved DTMOS IV deep trench processen sammenlignet med standard super-junction processen, er den lavere termiske koefficient for RDS(ON) over temperaturen. DTMOS IV minimerer også MOSFET output-kapacitansen (Coss), hvad der giver bedre SPS-drift ved små belastninger. Desuden giver en optimimeret gate-drain kapacitans (Cgd) en bedre dv/dt switch-styring.
De nye 650V komponenter leveres i D-PAK, I-PAK, D2-PAK, I2-PAK, TO-220, TO-220SIS og TO-247 kapslinger. Maximal RDS(ON) ligger fra 1,2Ω ned til blot 0,055Ω.
Toshiba Electronics Europe (TEE), Tyskland
Tlf: 0049 211 5296 117
