Toshiba Electronics Europe annoncerer sin nyeste familie af lavvolt, ultraeffektive trench-MOSFETs baseret på virksomhedens næste generation af U-MOS IX-H halvlederprocesser.
De nye MOSFETs giver branchens bedste RDS(ON)*QOSS produkt (on-modstand multipliceret med udgangsladningen) for denne type komponenter. Indledningsvis vil familien være tilgængelig i 40V-versioner, men de vil i de kommende måneder få selskab af komponenter med nominelle spændinger mellem 30V og 60V. De førstre komponenter i serien har en typisk RDS(ON) på kun 0,7mΩ (max. 0,85mΩ) og en typisk udgangskapacitans (Coss) på 1930pF. I 40V-versionen leveres TPHR8504PL i en ultraminiature SOP-Advance kapsling på blot 5mm x 6mm.
Target-applikationser for den 9. generation af U-MOS familien inkluderer DC/DC-konvertere, synkron ensretning og andre power-management kredsløb, hvor drift med lave effekttab, high-speed switching og minimalt pladsforbrug på printet er nøglekrav.
U-MOS IX-H MOSFETs er idelle til high-side og low-side switching i DC/DC-konvertere og sekundær-side synkron ensretning i AC/DC-konverteringskredsløb. Med forbedring af RDS(ON)*A værdien giver U-MOS IX-H teknologien reduktioner i die-størrelsen på 65% for den samme RDS(ON) – eller en RDS(ON) reduktion på 65% for den samme die-størrelse sammenlignet med den tidligere 40V UMOS VI-H generation. Dertil kommer et bedre trade-off mellem output-ladningen (Qoss) og RDS(ON), hvad der giver en øget effektivitet. Derfor kan U-MOS IX-H MOSFETs hjælpe designere til at reducere såvel effektforbrug og størrelse af designet.
Designere vil kunne vælge mellem en række SMD-huse og fremtidens også mellem optioner, der understøtter dobbeltsidet køling.
Toshiba Electronics Europe
Web: http://www.toshiba-components.com
