Power Integrations lancerer sin 600V, 12A Qspeed-diode, der giver branchens laveste reverse recovery ladning (Qrr) for en siliciumdiode. Med en Qrr på blot 14 nC ved 25°C, øger dioden effektiviteten I PFC-trinnet på on-board ladere med en samtidig betydelig reduktion i de termiske tab PFC’ens MOSFETs. Den AEC-Q101-kvalificerede QH12TZ600Q har de samme lave switch-tab som en SiC (siliciumcarbid) uden den ulempe, der ligger i et skift til en dyrere teknologi.
– Qrr for de nye Qspeed-dioder er kun halvdelen af tallet for de næstbedste ultrahurtige siliciumdioder, hvilket sikrer en meget høj systemeffektivitet. Det er især vigtigt i automotive on-board laderapplikationer, som kræver højere switch-frekvenser for at minimere både volumen og vægt – og det gør Qspeed-dioderne i stand til erstatte SiC-komponenter, siger Edward Ong, senior produkt marketingchef hos Power Integrations.
QH12TZ600Q bruger kombinerede PiN- og Schottky-diodeteknologier for at opnå den høje ydelse. Den jævne reverse recovery karakteristik for strømmen øger ikke kun effektiviteten, men reducerer også støj og peak reverse-spændingsstress, hvilket eliminerer behovet for snubber-kredsløb, når dioderne bruges som output-ensrettere i on-board ladere. Komponenterne leveres i kompakte 2,5kV isolerede TO-220 huse, der tillader direkte montage på en køleplade, hvilket understøtter den glimrende termiske ydelse.
For mere information, besøg venligst: http://www.power.com.
