M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc. (Macom) lancerer nu sin fjerde generation af GaN-on-Si teknologi. Der er tale om en halvlederstruktur, der ydelsesmæssigt udfordrer den dyre GaN-on-SiC (siliciumcarbid), men til en volumenpris, som vil ligge på linie med den betydeligt mere udbredte – og langt billigere – LDMOS-teknologi.
Fjerde generation af GaN (Gen4 GaN) vil kunne nedbryde de sidste tekniske og kommercielle barrierer, hvilket vil give et gennembrud for bred anvendelse af GaN-teknologien. Macoms Gen4 GaN er netop blevet demonstreret i praksis under IMS 2015 i Phoenix, Arizona.
Gen4 GaN har en 70 procent højere effektivitet og et 19dB gain for modulerede signaler ved 2,7GHz, hvilket giver en 10 procentpoints bedre effektivitet og en fire gange højere effekttæthed end LDMOS. I det lange løb vil prisen pr. watt for GaN-on-Si komponenter være det halve af LDMOS-typerne.
Macoms Gen4 GaN-baserede komponenter forventes at gå i volumenlumenproduktion i 2016, men samples er tilgængelige allerede nu.
For mere information, besøg venligst http://www.macom.com/gan
