Næsten 10.000 satellitter kredser i øjeblikket om vores planet i lav jordbane (Low Earth Orbit – LEO) og leverer internetadgang, jordobservation, kommunikation, vejrinformation og flere data tilbage til jorden. Sammenlignet med traditionelle geostationære jordbanesystemer (GEO) opsendes LEO-satellitter i større antal for at opnå tilstrækkelig dækning og operere i et mindre alvorligt strålingsmiljø. Som sådan kræver LEO-satellitter andre elektriske komponenter sammenlignet med deres traditionelle GEO-modstykker. For at understøtte udviklingen af disse applikationer introducerer Infineon Technologies AG en ny portefølje af strålingstolerante hukommelsesprodukter, der er skræddersyet til det hurtigt voksende NewSpace-marked.
NewSpace refererer til kommercialiseringen af rumudforskning af private virksomheder og startups, ofte med mindre statsligt tilsyn end traditionelle rumprogrammer. Drevet af den stigende efterspørgsel efter global konnektivitet (direkte-til-celle) sigter NewSpace-initiativer mod at kombinere LEO-satellitkonstellationer med Tingenes Internet (IoT) for at skabe en mere forbundet og effektiv verden. Disse missioner er typisk afhængige af mindre satellitter, lige fra nano-satellitter til 250 kg tunge satellitter, og har kortere missionsvarighed og er billigere, hvilket muliggør implementering af store LEO-konstellationer. Med lavere opsendelsesomkostninger og reduceret strålingseksponering i LEO kan mange NewSpace-applikationer drage fordel af kommercielle standardkomponenter (COTS), der leverer robust ydeevne uden at kræve traditionelle militære eller rumfartsmæssige kvalifikationer.
Infineons NewSpace-hukommelsesportefølje omfatter tre produktfamilier: lavenergi, strålingstolerante F-RAM’er; QSPI NOR flash-hukommelser med 256 Mbit og 512 Mbit tætheder; og 256 Mbit/512 Mbit pseudostatisk RAM (pSRAM). Disse enheder tilbyder en optimal kombination af ydeevne og pålidelighed, samtidig med at de understøtter reduceret størrelse, vægt, strømforbrug og omkostningsfordele (SWaP-c). F-RAM’erne fungerer over et bredt MIL-temperaturområde på -55°C til +125°C, mens NOR Flash- og pSRAM-enhederne understøtter et område på -40°C til +125°C. Strålingstolerancen viser en samlet ioniserende dosis (TID) på 50 krad(Si) for F-RAM’erne, 30 krad(Si) for NOR Flash og 100 krad(Si) for pSRAM’erne. Yderligere fordele inkluderer en enkelt lot-datokode og 100 procent elektrisk test for at sikre pålidelig drift. Med disse egenskaber er Infineons hukommelsesprodukter ideelle til kortvarige, højredundante og store LEO-konstellationer.
Infineons pSRAM’er er de første af deres slags til NewSpace og tilbyder en unik hukommelsestype, hvis hukommelsesmatrix er struktureret som DRAM internt, men præsenterer sig som statisk RAM (SRAM) eksternt. pSRAM’erne er en lavstrøms-, højtydende og lavt pin-antal løsning, der er ideel til databufferingsapplikationer med høj gennemløbshastighed.
Infineons NewSpace-hukommelses- og strømforsyningsprodukter er tilgængelige gennem de autoriserede distributionspartnere Arrow og Avnet.
Yderligere information er tilgængelig på http://www.infineon.com/hirelmemory
