International Rectifier (IR) har introduceret en ny IR66xx serie af højtydende 600 V ultrahurtige “Trench-gate Field Stop” IGBT-transistorer (Insulated-Gate Bipolar Transistor). Den nye robuste og pålidelige familie af 600 V IGBT-transistorer har ekstremt lave lede- og switchingtab og er optimeret til svejseapplikationer.
De nye 600 V IGBT-transistorer er baseret på IR’s “Trench thin-wafer” teknologi for at opnå de lavest mulige lede- og switchingtab og er co-pakkede med en soft-recovery diode med lav Qrr og er optimeret til ultrahurtig switching (8 kHz – 30 kHz) med en specificeret kortslutningsrating på 5 µsek. 600 V IGBT’erne har også en lav VCE(ON) spænding og en positiv temperaturkoefficient, der gør det let og uproblematisk at parallelkoble flere kredse.
IR66xx IGBT-serien udmærker sig endvidere ved en høj switchingfrekvens, en specificeret maksimum junction-temperatur på 175°C og en lav EMI for at give en forbedret pålidelighed, en højere systemeffektivitet og en robust transientperformance.
International Rectifier
Web: http://www.irf.com
(PS: Vær obs på, at kontaktdetaljer kan ændres efter Infineons overtagelse af IR)
