M/A-COM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) introducerer en ny GaN on SiC HEMT effekttransistor til pulserende radarapplikationer i L-båndet.
MAGX-000912-500L00 er et guldmetalliseret GaN on SiC RF effekttransistor, der giver et output på op til 500W med et gain på 19,8dB og 60 procents effektivitet. Komponenten understøtter meget høje break-wodn spændinger, hvad der giver stabil og pålidelig drift selv ved ekstreme mismatches af belastningerne til kredsen.
Komponenten er oplagt til brug i flyelektronik inden for 960- til1215 MHz-området som eksempelvis Traffic Collision Avoidance Systems (TCAS), Distance Measuring Equipment (DME) og Datalinks. Komponenten er konstrueret i et state-of-the-art 50V GaN-design og leveres både som flange- og flangeløse pakninger.
M/A-COM Technology Solutions Holdings, Inc.
Web: http://www.macom.com
