Cree lancerer to nye galliumnitrid (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs), der er oplagte til brug i 2,9–3,5GHz S-bånd radarforstærkersystemer inden for vejr, trafikstyring, marine, havneovervågning og redning.
Crees 0,4µm high power density 50V GaN on silicon carbide (SiC) foundry proces giver en ydelse ved temperaturer op til 85°C på case for både 150W CGHV35150- og 400W CGHV35400F typerne, hvad der giver en høj effektivitet, et højt gain, stor båndbredde og ensartet ydese ved høje temperaturer.
CGHV35150 har 150W på output, 13,5dB gain og en 50 procents typisk drain-effektivitet. CGHV35400F giver 400W ved 10,5dB gain og 60 procents effektivitet. Både 150W- og 400W S-bånd GaN HEMT’erne har et <0,3dB pulseret amplitude droop.
Cree RF Components
Web: http://www.cree.com/RF/Products/SBand-XBand-CBand/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV35150
eller: http://www.cree.com/RF/Products/SBand-XBand-CBand/Packaged-Discrete-Transistors/CGHV35400F
