Cree, Inc. fortæller, at virksomheden C2M, 1200V, 80mOhm SiC MOSFETs er blevet valgt af Sanix Corporation, Japan, til at skulle designes ind i den japanske virksomheds nye 9,9kW thefrasede solcelleinvertere til konstruktion af kommercielle fotovoltaiske systemer, der indgår i Japans hastigt voksende solcelle energimarked.Gennem partnerskabet med Cree og dennes SiC-teknologi er Sanix i stand til at opnå en større andel i det meget konkurrenceprægede japanske solcellemarked. Ifølge Sanix har brugen af Cree SiC MOSFETs været afgørende for, at Sanix har kunnet opnå den høje effektivitet og termiske ydelse, der har været designmålet. SiC-switche reducerer tabene i inverter-elektronikken med mere end 30 procent i forhold til de silicium super-junction MOSFETs, der ellers blev overvejet.
Crees 1200V C2M0080120D MOSFETs indgår i primærdelen af solcelle-inverterens forsyning, hvor den hurtige switch-karakteristik fjerner en trediedel af de tab, som man forbinder med sammenlignelige 900V silicium super-junction MOSFETs. De lavere switch-tab fører også til lavere totale energitab og igen lavere driftstemperaturer. Konsekvensen er mindre og lettere invertere med en lavere kompleksitet og reduceret behov for termisk management.
Cree Inc.
Web: http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Sales%20Sheets/Power_Product_Selector_Guide.pdf.
