Som en del af sin langsigtede vækststrategi annoncerer Cree, Inc., at virksomheden vil investere op til 1 milliard dollar i udvidelsen af sin siliciumcarbidkapacitet med udviklingen af et state-of-the -art, automatiseret 200 mm siliciumcarbidfabrikationsanlæg og en materialefabrik på sit amerikanske hovedkvarter i Durham, NC. Det markerer selskabets største investering hidtil i udviklingen af koncernens Wolfspeed-siliciumcarbid og GaN-på-siliciumcarbid.
Efter færdiggørelsen i 2024 vil faciliteterne i væsentlig grad øge virksomhedens kapacitet til siliciumcarbidmaterialer og waferfabrikation, hvilket giver mulighed for wide-bandgap halvlederløsninger, der muliggør dramatiske teknologiske fremskridt på markedet inden for bilindustrien, kommunikationsinfrastrukturen og industrien.
Planen giver ekstra kapacitet til Crees fremsynede Wolfspeed siliciumcarbid-proces gennem udbygningen af en eksisterende struktur med den 25.000 kvadratmeter store, 200mm-wafer fabrikation. Det er det første skridt mod at betjene den forventede stigende efterspørgsel på markedet. Den nye North Fab er designet til at være fuldt automotivt kvalificeret og vil levere næsten 18 gange mere wafer-areal, end det er muligt i dag med virksomhedens produktion af 150mm wafers. Virksomheden vil samtidigt konvertere sin eksisterende Durham fabrikations- og materialefacilitet til en megafabrik.
Crees investering er sandsynligvis drevet af især bilbranchens behov for nye og fremsynede LED-belysningsprodukter, der også har en afsmittende effekt på industriapplikationerne. Overgangen til SiC- og GaN-på-SiC teknologier vil i høj grad øge effektiviteten i såvel LED-lyskilder som drivere og effektelektronik til blandt andet belysningsformål.
