Franske CEA-Leti åbner nu for adgang til sin pilotlinie i det europæiske FAMES Pilot Line konsortium, som vil kunne tilbyde et komplet sæt af teknologier til udvikling af innovative chiparkitekturer. FAMES vil bane vejen for ny forskning for at forbedre ydelsen og sænke effektforbruget i mixed-signal kredsløb samt styrke europæisk mikroelektronik, fortæller CEA-Leti i en nylig artikel i Nature Reviews Electrical Engineering.
Leti’s FAMES pilotlinie vil fokusere på fem sæt af teknologier til nye chiparkitekturer baseret på 10 nm og 7 nm FD-SOI teknologien:
- Embedded non-volatile hukommelser (eNVM), som vil forbedre lagringsegenskaberne i avancerede integrerede kredse.
- RF- komponenter til optimering af højt ydende forbindelser i næste generation af trådløse applikationer.
- To 3D integrationsteknologier som muliggør avanceret 3D stakning og heterogen integration med bedre chipfunktionalitet.
- Små spoler til udvikling af power-management IC’er (PMIC) til DC-DC konvertere.
De nye teknologier vil skabe markedsmuligheder for low-power mikrocontrollere (MCU), multi-processor enheder (MPU), avancerede AI og machine-learning enheder, processorer til smart data-fusion, RF enheder, 5G/6G chips for automotive markeder, smarte sensorer og billedsensorer, pålidelige chips og nye rumfartskomponenter.
– FAMES vil være åben for kunder (stakeholdere) i Europa og partnerlande med årlige indkald, første gang i marts 2025″, sagde Jean-René Lèquepeys, vicedirektør og CTO hos CEA-Leti og ledende forfatter til artiklen.
